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BB娱乐平台登录艾弗森【研制】东京大学研制新型半导体器件有望用于下一代内

发布时间:2024-05-08 07:31:47 来源:BB贝博 作者:贝博艾弗森体育网页版访问次数:

     

  集微网消息,日本东京大学研究团队研制出一种半导体纳米通道器件,给这种器件施加磁场能使其电阻值发生高达250倍的变化。这种现象未来有望用于开发新型非易失性存储器等。

  根据日本东京大学公报,该校研究人员领衔的团队研制出一种通道长20纳米的锗半导体纳米通道器件,它属于半导体两端器件,拥有铁和氧化镁双层结构的电极,还添加了硼元素。研究人员观察到,通过给这种器件施加磁场能使其表现出电阻开关效应,外加磁场还使其实现了高达250倍的电阻变化率。研究人员给这种现象取名为“巨磁阻开关效应”。

  不过,目前仅能在20开尔文(约零下253摄氏度)的低温环境下观测到这种“巨磁阻开关效应”。研究团队下一步将致力于提高“巨磁阻开关效应”出现的温度,以便将其用于开发新型电子元器件等。基于电阻开关效应的电阻式随机存取存储器被视为最有竞争力的下一代非易失性存储器之一。

  传统的动态随机存取存储器是利用电容储存电荷多少来存储数据,其一大缺点是数据的易失性,电源意外切断时会丢失存储数据。而电阻式随机存取存储器是通过向器件施加脉冲电压产生电阻高低变化,以此表示二进制中的“0”和“1”,其存储数据不会因意外断电而丢失,是一种处于开发阶段的下一代内存技术。

  论文第一作者、东京大学研究生院工学系研究科教授大矢忍指出,新成果将来有望在电子领域得到应用,特别是用于神经形态计算以及开发下一代存储器、超高灵敏度传感器等新型器件。

  集微网报道,半导体材料市场信息的咨询公司TECHCET预测金属电镀化学品将在2024年增长7%,达到超过10亿美元。2023年这一数字为9.47亿美元,相比2022年降6%。综合来看,该市场将迎来一个显着的跃升。

  预计2023年至2028年,这些金属电镀化学品的复合平均增长率预计将超过5.4%。增长驱动因素包括先进封装的使用增加,例如重新布线层(RDL)和铜柱结构等,以及埋入式电源轨和背面铜布线。

  TECHCET认为,2024年第一季度半导体器件产量将继续缓慢增长,2024年下半年,由于众多应用(电动汽车、更多快速充电站)的增长,预计器件需求将会增加,这将推动对金属互连层和更先进封装材料的需求增加。

  晶圆级封装的增长继续推动先进封装需求。在高性能器件的先进封装中,对RDL、中介层的需求不断增加。异构集成、EMIB、小芯片和功率器件预计将在沉积材料的质量方面挑战电镀要求。

  集微网报道,鸿海4月5日公布了3月营收,达4475亿元新台币,环比增26.9%,同比增11.8%,为历年同期次高。鸿海表示,展望本季仍属传统淡季,主要产品进入新旧产品转换期,第2季能见度大约与目前市场预期相当,预估本季营运展望将呈现季增、年增表现。

  其中,“云端网络产品类别”、“元件及其他产品类别”、“消费智能产品类别”环比皆强劲成长,主要是因为2月适逢农历春节假期,工作天数较少,基期较低环比表现强劲成长。

  至于鸿海3月营收年增11.8%,其中 “消费智能产品类别”因客户拉货动能较大,同比表现强劲成长。“云端网络产品类别”因为3月云端产品拉货动能较强,抵销网通产品库存调整影响,本类别同比显著成长。

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  【融资】墨芯、星思半导体、新港海岸等获新一轮融资;通富微电2023年营业收入222.69亿元,今年营收目标为252.80亿元

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